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SPU07N60C3
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPU07N60C3
- 商品编号
- C168873
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.819克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,4.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@350uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- TO-251 和 TO-252 封装中全球最佳的导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高的 dv/dt 额定值
- 高脉冲电流能力
- 改善的跨导
- 符合 RoHS 标准
- PG-TO251 封装
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准；采用无卤模塑料
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证