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SPP20N60CFD
1个N沟道 耐压:600V 电流:20.7A
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- 描述
- 特性：新型革命性高压技术。 TO 220封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 具备周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 内置快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 无铅镀铅；符合RoHS标准；无卤模塑料。 符合JEDEC工业级应用标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP20N60CFD
- 商品编号
- C168876
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,13.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 780pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- TO 220封装中全球最佳的导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高的dv/dt额定值
- 高脉冲电流能力
- 内置快速恢复体二极管
- 极低的反向恢复电荷
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准；采用无卤模塑料
- 按照JEDEC标准通过工业级应用认证