温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP2NK90Z
1个N沟道 耐压:900V 电流:2.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,900V,2.1A,6.5Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP2NK90Z
- 商品编号
- C155656
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
SuperMESH™系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条带的PowerMESH™布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保该系列产品在最严苛的应用中具备出色的dv/dt能力。该系列产品完善了意法半导体的高压MOSFET全产品线，包括具有革新性的MDmesh™产品。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 100%雪崩额定
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用
- TO-220
- DPAK
- IPAK