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2STBN15D100
NPN 100V 12A
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- 描述
- 低压NPN功率达林顿晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- 2STBN15D100
- 商品编号
- C155667
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 集电极电流(Ic) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.3V | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.5V |
商品概述
该器件采用具有“基极岛”布局的平面工艺和单片达林顿结构制造。
商品特性
- 良好的hFE线性度
- 高fT频率
- 集成反并联集电极 - 发射极二极管的单片达林顿结构
应用领域
- 线性和开关工业设备