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TD350ETR

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描述: 先进的IGBT/MOSFET驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: TD350ETR
商品编号: C155663
商品封装: SO-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.263克(g)

商品参数

商品概述

TD350E器件是一款用于IGBT和功率MOSFET的先进栅极驱动器。它集成了控制和保护功能，可用于设计高可靠性系统。创新的有源密勒钳位功能在大多数应用中无需负栅极驱动，且允许高端驱动器使用简单的自举电源。该器件具备可调节电平与延迟的两级关断特性。此功能可在过流或短路情况下，防止关断时出现过高的过电压。两级关断特性中设置的相同延迟也会在导通时应用，以防止脉冲宽度失真。该器件还集成了IGBT去饱和保护和故障状态输出，并且与脉冲变压器和光耦信号均兼容。

商品特性

1.5 A源极/2.3 A灌电流（典型值）栅极驱动
有源密勒钳位特性
可调节电平与延迟的两级关断
去饱和检测
故障状态输出
负栅极驱动能力
输入与脉冲变压器或光耦兼容
独立的灌电流和源极输出，便于栅极驱动
欠压锁定（UVLO）保护
2 kV静电放电（ESD）保护（人体模型HBM）

应用领域

1200 V三相逆变器
电机控制
不间断电源（UPS）系统

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	2.3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.5A
	工作电压	12V~26V
	上升时间(tr)	130ns
	下降时间(tf)	75ns
	工作温度	-40℃~+125℃