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STD64N4F6AG
1个N沟道 耐压:40V 电流:54A
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD64N4F6AG
- 商品编号
- C157430
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 232pF |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的 RDS(on)。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用