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STF3NK80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.5A
- 描述
- 这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为要求最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体（ST）包括革命性的 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF3NK80Z
- 商品编号
- C161631
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V,1.25A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最严苛的应用提供高水平的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体（ST）包括创新型 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用