TSM108IDT

TSM108是一款降压PWM控制器，设计用于驱动外部P沟道MOSFET，在电池充电应用中提供恒定电压和恒定电流调节。TSM108可以轻松配置以满足非常广泛的电压和电流需求。它采用坚固的BCD技术实现，并包括一个PWM发生器、电压和电流控制环路、精确的电压参考以及栅极驱动器。该设备可以在Vcc上承受60V的电压，因此满足12V汽车电池的标准负载突卸要求。

在电路板上还有其他安全功能，这些功能将外部电源锁定在关闭状态：过压锁定（OVLO）和欠压锁定（UVLO）。MOSFET栅极还通过12V箝位保护电路防止过压驱动。此外，待机功能在激活时允许非常低的静态电流，但在关闭时仍能保证外部电源元件的安全。该IC适用于12V汽车配件以及其他DC/DC降压转换器。

• 高边电流检测
• 精确的恒流/恒压调节
• 可调开关频率
• 可调过压保护/欠压保护(UVLO)阈值
• 待机模式功能
• 能承受60V电压
• 最少的外部元件数量
• 驱动外部P沟道MOSFET或PNP双极晶体管
• 包括一个PWM发生器、电压和电流控制环路、精确的电压参考和栅极驱动器
• 在Vcc上能承受60V，满足12V汽车电池的标准负载突卸要求
• 包括过压锁定(OVLO)和欠压锁定(UVLO)安全功能
• 包括用于MOSFET栅极的12V箝位保护电路
• 激活时待机功能允许非常低的静态电流
• 适用于12V汽车配件以及其他DC/DC降压转换器
• PWM功能的最大占空比为95%
• 内部电压参考(Vref)的值为2.52V
• 电流控制参考电压(Vsense)为206mV
• 栅极驱动可以吸收高达40mA的电流并提供高达80mA的电流
• 振荡器频率可调，通常设置为100kHz
• UVLO阈值为8V至9V，具有200mV的迟滞
• OVLO阈值为32V至35V，具有400mV的迟滞
• 待机模式将电流消耗降至150μA
• 可以驱动P沟道MOSFET或PNP双极晶体管
• 选择P沟道MOSFET和PNP晶体管之间的推荐限制约为200mA
• 运算放大器确保准确的电压和电流调节环路
• PWM发生器包括一个振荡器和一个比较器
• 电压控制环路可以通过外部电压分压器设置
• 电流控制环路可以通过采样电阻设置
• 栅极驱动阶段有不同的导通电阻，以确保P沟道MOSFET的开启速度慢于关闭速度
• 集成电压箝位防止P沟道MOSFET栅极被高于15V的电压驱动
• 可以使用外部电阻调整UVLO和OVLO电平
• 待机模式关闭主要功能以减少电流消耗
• 适用于手机充电器和电源中的后级调节等应用

• 12V汽车配件
• DC/DC降压转换器
• 电池充电应用
• 手机充电器
• 电源中的后置稳压