UCC27200DDA
UCC27200DDA
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- 描述
- 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27200DDA
- 商品编号
- C1549297
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ |
商品概述
UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器集成了一个120V自举二极管,以及具有独立输入的高端和低端驱动器,可实现最大的控制灵活性。这使得该驱动器可用于半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中的N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制,且导通和关断之间的匹配时间为1ns。 片上自举二极管可省去外部分立二极管。高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能,当驱动电压低于指定阈值时,将强制输出为低电平。 UCC27200有两个版本。UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值,而UCC27201具有TTL兼容阈值。
商品特性
- 可驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
- 高端可处理负电压(–5V)
- 最大自举电压为120V
- 最大VDD电压为20V
- 片上0.65V正向电压、0.6Ω电阻的自举二极管
- 工作频率大于1MHz
- 传播延迟时间为20ns
- 灌电流和拉电流输出均为3A
- 带1000pF负载时,上升时间为8ns,下降时间为7ns
- 延迟匹配为1ns
- 高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能
- 工作温度范围为–40℃至140℃
应用领域
- 电信、数据通信和商用市场的电源
- 半桥应用和全桥转换器
- 隔离总线架构
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- 高压同步降压转换器
- D类音频放大器
优惠活动
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起订量:1 个75个/管
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