温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI8808DB-T2-E1
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8808DB-T2-E1
- 商品编号
- C145290
- 商品封装
- BGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@1.5V,1.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 外形尺寸小，仅0.8 mm x 0.8 mm
- 最大厚度低至0.4 mm
- 最高额定电压30 V，导通电阻低
应用领域
- 负载开关-高速开关-DC/DC转换器-适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备
相似推荐
其他推荐
- SIA421DJ-T1-GE3
- SI1062X-T1-GE3
- SQ1912EH-T1_GE3
- SI1012X-T1-GE3
- SIR640ADP-T1-GE3
- IRFS11N50APBF
- SI4154DY-T1-GE3
- IRF9Z14SPBF
- SI8810EDB-T2-E1
- SI7309DN-T1-E3
- SI8816EDB-T2-E1
- SISA72DN-T1-GE3
- SQ2318AES-T1_GE3
- IRF9620PBF
- SQJA96EP-T1_GE3
- SI4464DY-T1-E3
- IRFS9N60APBF
- SQ2310ES-T1_GE3
- SI3443CDV-T1-GE3
- SISB46DN-T1-GE3
- SI7949DP-T1-GE3