温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VN2410L-G
1个N沟道 耐压:240V 电流:190mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这种增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于各种需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VN2410L-G
- 商品编号
- C144193
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.241克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
优惠活动
购买数量
(1000个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单