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VN2410L-G
1个N沟道 耐压:240V 电流:190mA
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- 描述
- 这种增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于各种需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VN2410L-G
- 商品编号
- C144193
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.241克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 超低栅极阻抗
- 栅源电压 (VGS) 为 4.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) 极低
- 雪崩电压和电流特性全面表征
应用领域
- 用于电信和工业领域的带同步整流的高频隔离式 DC-DC 转换器
- 用于计算机处理器供电的高频降压转换器