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TC6321T-V/9U
1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V 电流:2A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TC6321T-V/9U
- 商品编号
- C144225
- 商品封装
- VDFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
TC6321由采用8引脚VDFN封装的高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。两个MOSFET均集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，这在高压脉冲发生器应用中是非常理想的。 TC6321是一对互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET，采用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，同时拥有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 垂直DMOS FET非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 集成栅源电阻
- 集成栅源齐纳二极管
- 低阈值
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏电流
- 独立、电气隔离的N沟道和P沟道
- 8引脚超薄塑料双扁平无引脚6 x 5 mm VDFN封装
应用领域
- 高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器-逻辑电平接口