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TN2106K1-G
1个N沟道 耐压:60V 电流:280mA
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- 描述
- 这款低阈值、增强型（常开）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN2106K1-G
- 商品编号
- C145707
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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