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VP0109N3-G
1个P沟道 耐压:90V 电流:250mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VP0109N3-G
- 商品编号
- C148053
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.241克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容(Ciss)和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 内置源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
应用领域
-电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯具、存储器、显示器、双极晶体管等)