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VN2106N3-G

1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

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描述: Supertex VN2106 是一款增强型（常开）晶体管，采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种具备双极晶体管功率处理能力，同时拥有 MOS 器件固有高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: VN2106N3-G
商品编号: C150771
商品封装: TO-92
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.241克(g)

商品参数

商品概述

Suputex VN2106是一款增强型（常开）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和Suputex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 Suputex的垂直DMOS FET非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低输入电容（Ciss）和快速开关速度
高输入阻抗和高增益

应用领域

电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	300mA
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	1W
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V@1.0mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	50pF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	25pF