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VN2110K1-G

1个N沟道耐压:100V 电流:200mA

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: VN2110K1-G
商品编号: C145708
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

商品概述

这款低阈值、增强型(常关)晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体(DMOS)结构和Supertex久经考验的硅栅制造工艺。这种结合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 Supertex的垂直DMOS场效应晶体管(FET)非常适合广泛的开关和放大应用,这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低输入电容(Ciss)和快速开关速度
高输入阻抗和高增益

应用领域

电机控制
转换器
放大器
开关
电源电路
驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	200mA
	导通电阻(RDS(on))	4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	360mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	50pF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	25pF