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VP2450N8-G
1个P沟道 耐压:500V 电流:160mA
- 描述
- VP2450是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VP2450N8-G
- 商品编号
- C144242
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@10V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
交货周期
订货29-31个工作日购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 10000 个)个
起订量：10000 个2000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交8单