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TN0106N3-G
1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN0106N3-G
- 商品编号
- C144366
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.241克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
这款低阈值、增强型（常开）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。
Supertex的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，尤其适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的场合。
商品特性
-低阈值-最大2.0V-高输入阻抗-低输入电容-典型值50pF-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 逻辑电平接口 – 适用于TTL和CMOS
- 固态继电器
- 电池供电系统
- 光伏驱动器
- 模拟开关
- 通用线路驱动器
- 电信开关