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TN0106N3-G
1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN0106N3-G
- 商品编号
- C144366
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.241克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@4.5V,250mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
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