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LND01K1-G

1个N沟道耐压:650V 电流:330mA

描述: 双向、低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、高输入阻抗和高增益、低功率驱动要求、易于并联。是一种低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的横向 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。晶体管的主体连接到栅极引脚，因此沟道同时被栅极和主体夹断。栅极引脚有一个二极管连接到漏极端子，另一个二极管连接到源极端子。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: LND01K1-G
商品编号: C145615
商品封装: SOT-23-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.55克(g)

商品参数

商品概述

LND01是一款低阈值、耗尽型(常开)晶体管,采用先进的横向DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。晶体管的衬底连接到栅极引脚。因此,沟道同时被栅极和衬底夹断。栅极引脚有一个二极管连接到漏极端,另一个二极管连接到源极端。

商品特性

-双向导通-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-高输入阻抗和高增益-低功率驱动要求-易于并联

应用领域

-常开开关-固态继电器-转换器-恒流源-模拟开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	330mA
	导通电阻(RDS(on))	1.4Ω@0V
	耗散功率(Pd)	360mW
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	48pF
	反向传输电容(Crss)	23pF
	工作温度	-25℃~+125℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	32pF