LND01K1-G

1个N沟道 耐压:650V 电流:330mA

描述

双向、低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、高输入阻抗和高增益、低功率驱动要求、易于并联。是一种低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的横向 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。晶体管的主体连接到栅极引脚，因此沟道同时被栅极和主体夹断。栅极引脚有一个二极管连接到漏极端子，另一个二极管连接到源极端子。

品牌名称

MICROCHIP(美国微芯)

商品型号

LND01K1-G

商品编号

C145615

商品封装

SOT-23-5​

包装方式

编带

商品毛重

0.043克(g)