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VN4012L-G
1个N沟道 耐压:400V 电流:160mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VN4012L-G
- 商品编号
- C144200
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.241克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU、SiHLU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低 Ciss 和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 集成源 - 漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
应用领域
-电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)