温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7922DN-T1-GE3
2个N沟道 耐压:100V 电流:1.8A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7922DN-T1-GE3
- 商品编号
- C141507
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 提供无卤选项
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK封装,占板面积仅为SO-8的1/3,热性能相当
- 针对PWM优化
应用领域
- DC/DC原边开关
- 48V电池监测
相似推荐
其他推荐
- SIA519EDJ-T1-GE3
- SI7852DP-T1-E3
- SUD19P06-60-GE3
- SI2323DS-T1-E3
- SI7900AEDN-T1-E3
- SI2325DS-T1-E3
- SI4190ADY-T1-GE3
- SI7139DP-T1-GE3
- SI2312BDS-T1-E3
- SI7463DP-T1-E3
- SIA910EDJ-T1-GE3
- SIR470DP-T1-GE3
- SI2316BDS-T1-GE3
- SI7434DP-T1-E3
- SI1539CDL-T1-GE3
- SI4925BDY-T1-E3
- SI4896DY-T1-E3
- SI1026X-T1-GE3
- SI1922EDH-T1-GE3
- SIRA00DP-T1-GE3
- SI7456DP-T1-GE3