SUD19P06-60-GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:19A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:无卤,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:全桥转换器的高端开关。 LCD显示器的DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD19P06-60-GE3
- 商品编号
- C141510
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 经过单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器(LCD)的 DC/DC 转换器
相似推荐
其他推荐
- SI2323DS-T1-E3
- SI7900AEDN-T1-E3
- SI2325DS-T1-E3
- SI4190ADY-T1-GE3
- SI7139DP-T1-GE3
- SI2312BDS-T1-E3
- SI7463DP-T1-E3
- SIA910EDJ-T1-GE3
- SIR470DP-T1-GE3
- SI2316BDS-T1-GE3
- SI7434DP-T1-E3
- SI1539CDL-T1-GE3
- SI4925BDY-T1-E3
- SI4896DY-T1-E3
- SI1026X-T1-GE3
- SI1922EDH-T1-GE3
- SIRA00DP-T1-GE3
- SI7456DP-T1-GE3
- SI7619DN-T1-GE3
- SI2302CDS-T1-E3
- SI2369DS-T1-GE3
