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SIA519EDJ-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。典型ESD保护：N沟道2000V，P沟道1000V。100%进行Rg测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA519EDJ-T1-GE3
- 商品编号
- C141508
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 137mΩ@2.5V,2.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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