SIA519EDJ-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIA519EDJ-T1-GE3商品编号
C141508商品封装
PowerPAK-SC-70-6包装方式
编带
商品毛重
0.057克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@2.5V,3.3A | |
功率(Pd) | 5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.3nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 95pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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