TPS22918DBVR

TPS22918是一款单通道负载开关，可对上升时间和快速输出放电进行配置。此器件包括一个N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，可在1V至5.5V的输入电压范围内运行并可支持2A的最大持续电流。此开关由一个开关输入控制，能够直接连接低电压控制信号。 该器件的可配置上升时间可大幅降低大容量负载电容所产生的浪涌电流，从而降低或消除电源压降。TPS22918具有一个可配置的快速输出放电(QOD)引脚，用于控制器件的下降时间，以便针对掉电或排序进行灵活设计。 TPS22918采用小型、带引线的SOT - 23封装(DBV)，方便对焊接点进行外观检查。该器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 - 40°C至 + 105°C。

• 集成单通道负载开关
• 环境工作温度范围： - 40°C至 + 105°C
• 输入电压范围：1V至5.5V
• 导通电阻(RO N)：
  • RO N = 52mΩ （V1N = 5V时的典型值）
  • RO N = 53mΩ （V|N = 3.3V时的典型值）
• 2A最大持续开关电流
• 低静态电流：
  • 8.3μA (V|N = 3.3V时的典型值）
• 低控制输入阈值，允许使用1V或电压更高的GPIO
• 可调节快速输出放电(QOD)
• 可通过CT引脚配置的上升时间
• 小外形尺寸晶体管(SOT - 23) - 6封装(DBV)：
  • 2.90mm×2.80mm，间距为0.95mm，高度为1.45mm（带引线）
• 静电放电(ESD)性能经测试符合JESD 22规范±2kV人体模型(HBM)和±1kV带电器件模型(CDM)

• 工业系统
• 机顶盒
• 血糖仪
• 电子销售终端