TPS51100DGQ
3A灌/拉电流DDR端接稳压器
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- 描述
- TPS51100 3A 拉电流/灌电流 DDR 终端器稳压器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS51100DGQ
- 商品编号
- C130065
- 商品封装
- MSOP-10-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 线性稳压器(LDO) | |
| 工作电压 | 5.25V | |
| 输出电流 | 3A | |
| 静态电流(Iq) | 500uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压锁定;过流保护;软启动;热关断 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输出极性 | 正极 | |
| 输出通道数 | 1 |
商品概述
输入电压范围:4.75 V 至 5.25 V VLDOIN 电压范围:1.2 V 至 3.6 V 3A 源/吸终端稳压器 包含下垂补偿 仅需 20 μF 陶瓷输出电容 支持 S3 状态下的 Hi-Z 和 S5 状态下的软关断 1.2 V 输入(VLDOIN)有助于降低总功耗 集成分压器跟踪 0.5 VDDQSNS 用于 VTT 和 VTTREF 远程检测(VTTSNS)VTT 和 VTTREF 的 ±20 mV 精度 10 mA 缓冲参考(VTTREF) 内置软启动、欠压锁定和过流保护 热关断 支持 JEDEC 规范
TPS51100 是一款 3A 源/吸跟踪终端稳压器。该器件专为低成本且外部组件数量少的系统设计,适用于空间有限的应用。TPS51100 保持快速瞬态响应,只需 20 μF(2 x 10 μF)的陶瓷输出电容。TPS51100 支持远程检测功能,并具备根据 JEDEC 规范为 DDR 和 DDR2 VTT 总线终端供电所需的所有特性。此外,TPS51100 还支持 VDDQ 为 1.5 V(典型值)时的 DDR3 VTT 终端。TPS51100 还包括集成的睡眠状态控制,在 S3(挂起到 RAM)状态下将 VTT 置于高阻态,在 S5(挂起到磁盘)状态下对 VTT 和 VTTREF 进行软关断。TPS51100 采用热效率高的 10 引脚 MSOP PowerPAD 封装,工作温度范围为 -40℃ 至 85℃。
应用领域
- DDR, DDR2, DDR3 内存终端
- SSTL-2, SSTL-18 和 HSTL 终端
优惠活动
购买数量
(80个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个80个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交7单
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