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FDN359BN
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.7A
- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN359BN
- 商品编号
- C128794
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- 2.7 A，30 V。
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.046 Ω
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.060 Ω
- 开关速度极快。
- 栅极电荷低（典型值为5nC）
- 行业标准SOT - 23封装的高性能版本。引脚排列与SOT - 23相同，但功率处理能力提高30%。