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NTR1P02T1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻，提高效率并延长电池寿命：RDS(on) = 0.180Ω，VGS = -10V；RDS(on) = 0.280Ω，VGS = -4.5V。适用于便携式和电池供电产品的电源管理。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。提供SOT-23封装安装信息。NVR前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。AEC-Q101认证且具备PPAP能力。应用：DC-DC转换器。计算机
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR1P02T1G
- 商品编号
- C129192
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V,0.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 超低导通电阻，可提高效率并延长电池使用寿命
- 用于便携式和电池供电产品的电源管理
- 微型SOT - 23表面贴装封装，节省电路板空间
- 提供SOT - 23封装的安装信息
- NVR前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器-计算机-打印机-PCMCIA卡-移动电话和无绳电话