温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS86200
1个N沟道 耐压:150V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86200
- 商品编号
- C128799
- 商品封装
- PDFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@6V,8.8A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.715nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 9.6 A时，最大rDS(on) = 18 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 8.8 A时，最大rDS(on) = 21 mΩ
- 采用先进的封装与硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换