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LT5519EUF#PBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LT5519EUF#PBF

0.7GHz 至 1.4GHz 高线性度上变频混频器

描述
LT5519 混频器设计用于满足无线和电缆基础设施传输系统对高线性的要求。其内部匹配的高速 LO 放大器驱动双平衡混频器核心,允许使用低功耗、单端 LO 源。集成的 RF 输出变压器消除了外部匹配组件的需求,从而减少了系统成本、元件数量、板面积和系统级变化。IF 端口可以轻松匹配到广泛的频率,适用于多种应用。
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LT5519EUF#PBF
商品编号
C117354
商品封装
QFN-16-EP(4x4)​
包装方式
管装
商品毛重
1.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录RF混频器
增益/损耗17.1dB
噪声系数13.6dB
属性参数值
工作电压4.5V~5.25V
工作电流60mA
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

LT5519混频器旨在满足无线和有线基础设施传输系统的高线性度要求。高速、内部50Ω匹配的本振(LO)放大器驱动双平衡混频器核心,允许使用低功率单端本振源。集成了射频(RF)输出变压器,因此无需在射频输出端使用外部匹配元件,同时降低了系统成本、元件数量、电路板面积和系统级差异。中频(IF)端口可轻松匹配广泛的频率范围,适用于多种不同应用。 LT5519混频器在1GHz频率下,当中频输入信号电平为–10dBm时,典型输入三阶截点为+17.10dBm。输入1dB压缩点典型值为+5.50dBm。该集成电路仅需一个5V电源供电。

商品特性

  • 宽射频频率范围:0.7GHz至1.4GHz
  • 1GHz时典型输入三阶截点为17.1dBm
  • 片上射频输出变压器
  • 片上50Ω匹配的本振和射频端口
  • 单端本振和射频操作
  • 集成本振缓冲器:驱动电平为–5dBm
  • 低本振到射频泄漏:–44dBm
  • 典型噪声系数:13.6dB
  • 宽中频频率范围:1MHz至400MHz
  • 具有低关态泄漏电流的使能功能
  • 单5V电源供电
  • 小型16引脚QFN塑料封装

应用领域

  • 无线基础设施
  • 有线下行链路基础设施
  • 点对点和点对多点数据通信
  • 高线性度频率转换

数据手册PDF

交货周期

订货25-27个工作日

购买数量

(91个/管,最小起订量 1001 个)
起订量:1001 个91个/管

总价金额:

0.00

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