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FDD86102LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- N沟道,100V,35A,22.5mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86102LZ
- 商品编号
- C111627
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
NCE6020AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 40 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装，散热性能良好
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源