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BC857BLT1G
PNP 电流:100mA 电压:30V
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- 描述
- 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BC857BLT1G
- 商品编号
- C111644
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 90@10uA,5.0V | |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 30V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | - |
| 产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | |
| 制造商: | ON Semiconductor | |
| RoHS: |
 详细信息
|
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
| 晶体管极性: | PNP | |
| 配置: | Single | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | - 45 V | |
| 集电极—基极电压 VCBO: | - 50 V | |
| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | - 0.65 V | |
| 最大直流电集电极电流: | 0.1 A | |
| 增益带宽产品fT: | 100 MHz | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 系列: | BC857BL | |
| 商标: | ON Semiconductor | |
| 集电极连续电流: | - 0.1 A | |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 220 | |
| 高度: | 0.94 mm | |
| 长度: | 2.9 mm | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 封装: | Reel | |
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| 封装: | Cut Tape | |
| Pd-功率耗散: | 225 mW | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 宽度: | 1.3 mm | |
| 单位重量: | 8 mg |
优惠活动
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