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BS170
1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
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- 描述
- MOSFET，小信号，500 mA，60 V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BS170
- 商品编号
- C111691
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 14 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 122 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值80 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值42 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 等离子电视
- 不间断电源
- 交直流电源