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NDC7002N
2个N沟道 耐压:50V 电流:0.51A
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- 描述
- 此类双 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDC7002N
- 商品编号
- C114648
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 510mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关能力。这些器件特别适用于需要低电流高端开关的低压应用。
商品特性
- 0.51A、50V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 2Ω
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 采用铜引线框架的专有SuperSOT - 6封装设计，具备卓越的热性能和电气性能
- 高饱和电流