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NTS4001NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:270mA
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- 描述
- 这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTS4001NT1G
- 商品编号
- C116738
- 商品封装
- SC-70(SOT-323)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@2.5V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品特性
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 占位面积小，比TSOP - 6小30%
- 栅极具备ESD保护
- 符合AEC - Q101标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件 - NVS4001N
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 低端负载开关
- 锂离子电池供电设备 - 手机、个人数字助理（PDA）、数码相机（DSC）
- 降压转换器
- 电平转换
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