温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS4672A
1个N沟道 耐压:40V 电流:11A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4672A
- 商品编号
- C114903
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 346pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 11 A、40 V。在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 13 mΩ
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷(典型值为35 nC)
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器
- PC354NJ0000F
- LT1117IST-3.3#PBF
- GR227M025F12RR0VH4FP0
- EL817M(B)(TH)-F
- DC-050-T20
- CT357C(T1)
- VLU0608-330K
- VLU0608-3R3M
- VLU0608-331KB
- OV02735-H66A-1B
- OV02710-A68A-1E
- VLU0608-102KB
- VLU0810-472K
- RC1206FR-07120RL
- RC1206FR-071K5L
- RC1206FR-0712KL
- RC1206FR-07150KL
- RC1206FR-0715KL
- RC1206FR-072K2L
- RC1206FR-07200KL
- RC1206FR-07200RL