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FDS6679AZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- P沟 -30V -13A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6679AZ
- 商品编号
- C116730
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 745pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF |
商品概述
40V/72A 导通电阻 RDS(ON) = 4.8 毫欧（典型值）时，栅极 - 源极电压 VGS = 10V 导通电阻 RDS(ON) = 5.8 毫欧（典型值）时，栅极 - 源极电压 VGS = 4.5V100% 经过雪崩测试
- 性能可靠且经久耐用
- 提供无铅且环保的设备（符合 RoHS 标准）
商品特性
- 在 VGS = -10 V、ID = -13 A 时,最大 rDS(on) = 9.3 m Ω
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -11 A 时,最大 rDS(on) = 14.8 m Ω
- 扩展的 VGS 范围(-25V),适用于电池应用
- 典型的HBM ESD保护等级为6kV
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-笔记本电脑中的负载开关应用-便携式电池组中的负载开关应用
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