1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
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- 10+: ¥0.21943
- 100+: ¥0.176664
- 300+: ¥0.155282
- 3000+: ¥0.13646 ¥0.139245 (折合1圆盘417.74元)
- 6000+: ¥0.123887 ¥0.126415 (折合1圆盘379.25元)
- 9000+: ¥0.1176 ¥0.12 (折合1圆盘360元)
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¥0.13646 ¥0.139245 (折合1圆盘417.74元) |
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¥0.123887 ¥0.126415 (折合1圆盘379.25元) |
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¥0.1176 ¥0.12 (折合1圆盘360元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 320mA | |
功率(Pd) | 300mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,500mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 24.5pF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |