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NTD6416ANLT4G
1个N沟道 耐压:100V 电流:19A
- 描述
- 功率 MOSFET 100V 19A 74 mΩ 单 N 沟道，DPAK，逻辑电平
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD6416ANLT4G
- 商品编号
- C114874
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- NVD前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准