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FDS86242
1个N沟道 耐压:150V 电流:4.1A
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- 描述
- 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为实现r
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86242
- 商品编号
- C113197
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
商品概述
这款 MOSFET 的设计旨在最小化导通电阻 (R_DS(ON))，同时保持出色的开关性能，使其非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.1 A时,最大导通电阻RDS(ON)为67 m Ω
- 在VGS = 6 V、ID = 3.3 A时,最大导通电阻RDS(ON)为98 m Ω
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRMs)
- 24V和48V系统的主开关
- 高压同步整流器