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FDBL86210-F085
1个N沟道 耐压:150V
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- 描述
- 特性：典型rDS(on) = 5mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。 典型Qg(tot) = 70nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 该器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL86210-F085
- 商品编号
- C900880
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.971克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 169A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 rDS(on) = 5 mΩ
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(tot) = 70 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 该器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 12 V 系统主开关