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FDBL0200N100
1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL0200N100
- 商品编号
- C900877
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 1.5 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(tot) = 95 nC
- 非钳位感性负载开关(UIS)能力
- 该器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 工业电机驱动
- 工业电源
- 工业自动化
- 电池供电工具
- 电池保护
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)和能量逆变器
- 储能
- 负载开关