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FDBL0200N100

1个N沟道 耐压:100V 电流:300A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDBL0200N100
商品编号
C900877
商品封装
HPSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)133nC@10V
输入电容(Ciss)9.76nF@50V
反向传输电容(Crss)41pF@50V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
配置-

商品特性

  • 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时,典型漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.65 mΩ
  • 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时,典型总栅极电荷 (Qg(tot)) = 144 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 工业电机驱动
  • 工业电源
  • 工业自动化
  • 电池供电工具
  • 电池保护
  • 太阳能逆变器
  • UPS 和能量逆变器
  • 储能
  • 负载开关

数据手册PDF