FQI7N60TU
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.4A
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- 描述
- 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI7N60TU
- 商品编号
- C899365
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(1000个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/管
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