NTHS4166NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHS4166NT1G
- 商品编号
- C894000
- 商品封装
- ChipFET-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化VGS = -1.5 V时的rDS(导通)。
商品特性
- 沟槽技术
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 无引脚ChipFET封装的占位面积比TSOP-6小40%
- 出色的散热性能
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 负载开关
- 直流-直流转换器
- 低端开关
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