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NVD5C478NT4G
1个N沟道 耐压:40V 电流:14A 43A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低ΩG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5C478NT4G
- 商品编号
- C887739
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W；30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |