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SPTA65R160
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 专有新型超结技术
- RDS(ON)，典型值 = 0.16 Ω（VGS = 10 V 时）
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器-充电器-开关电源待机电源