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G1NP02ELL
N沟道+P沟道 20V 1.15A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关以及其他应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G1NP02ELL
- 商品编号
- C840056
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.36A；1.15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 159mΩ@4.5V；375mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.12W；1.12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV@250uA；550mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V；855pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF；68.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF；5.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF；15pF |
商品概述
本产品采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他众多应用。
商品特性
- NMOS：
- VDS 20V
- ID（VGS = 10V时）1.36A
- RDS(ON)（VGS = 4.5V时）< 375mΩ
- RDS(ON)（VGS = 2.5V时）< 450mΩ
- RDS(ON)（VGS = 1.8V时）< 800mΩ
- PMOS：
- VDS -20V
- ID（VGS = -10V时）-1.15A
- RDS(ON)（VGS = -4.5V时）< 520mΩ
- RDS(ON)（VGS = -2.5V时）< 700mΩ
- RDS(ON)（VGS = -1.8V时）< 1000mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- ESD（HBM）>2.0KV
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器