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G7P03L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G7P03L

1个P沟道 耐压:30V 电流:7A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G7P03L
商品编号
C840062
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.078克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))19mΩ
耗散功率(Pd)1.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型P沟道

商品概述

G7P03L采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS:-30V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-7A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 23 mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 34 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器