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CSD18543Q3A
60V、N沟道功率MOSFET
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- 描述
- CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18543Q3A
- 商品编号
- C840100
- 商品封装
- VSONP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 885pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 168pF |
商品概述
这是一款60V N沟道NexFET™功率MOSFET，采用3.3 mm × 3.3 mm SON封装，设计用于在功率转换应用中大大降低损耗。要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低导通电阻RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线(SON) 3.3 mm × 3.3 mm 塑料封装
应用领域
- 固态继电器开关
- 直流-直流转换
- 次级侧同步整流器
- 经隔离转换器主级侧开关
- 电机控制