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G30N04D3
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G30N04D3
- 商品编号
- C840063
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.083克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 176pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET低侧开关与高侧开关一致，栅极电阻RG相同采用DFN3X3-8L封装