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G12P10K
1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 特性：VDS：-100V。 ID (at VGS = -10V)：-12A。 RDS(ON) (at VGS = -10V) < 200mΩ。 RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 250mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：电源开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G12P10K
- 商品编号
- C840058
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.72nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G12P10KE采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- Vds:-100V
- ID(VGS = -10V时):-12A
- RDS(ON)(VGS = -10V时):< 200mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时):< 250mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- ESD(HBM)> 7.0KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器